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FGH75T65SQDTL4	文件：848.49 Kbytes Page：10 Pages	Field Stop Trench IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65SQDTL4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-4 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：650V FS4 TRENCH IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
FGH75T65SQDTL4
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，75A
开关能量：
307µJ（开），266µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
44ns/276ns
测试条件：
400V，18.8A，15 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-4
供应商器件封装：
TO-247
描述：
650V FS4 TRENCH IGBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FGH75T65SQDTL4供应商更新时间2024-6-7 13:54:00

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