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FGH40T120SQDNL4分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGH40T120SQDNL4
厂商型号

FGH40T120SQDNL4

参数属性

FGH40T120SQDNL4 封装/外壳为TO-247-4;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 40A UFS FOR SO

功能描述

IGBT - Ultra Field Stop
IGBT 1200V 40A UFS FOR SO

文件大小

476.99 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-9 21:22:00

FGH40T120SQDNL4规格书详情

FGH40T120SQDNL4属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。安森美半导体公司制造生产的FGH40T120SQDNL4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    FGH40T120SQDNL4

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    1.4mJ(开),1.1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    46ns/220ns

  • 测试条件:

    600V,40A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-4

  • 供应商器件封装:

    TO-247-4L

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A UFS FOR SO

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