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FGA120N30DTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 300V 120A 290W TO3P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGA120N30D	文件：746.24 Kbytes Page：9 Pages	300VPDPIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF120N30	文件：885.31 Kbytes Page：7 Pages	300V,120APDPIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXFH120N30	文件：367.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK120N30T	文件：144.79 Kbytes Page：5 Pages	GigaMOSPowerMOSFET GigaMOS™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •InternationalStandardPackages •HighCurrentHandlingCapability •FastIntrinsicDiode •AvalancheRated •LowRDS(on) Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity A	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX120N30	文件：327.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=27mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive ·ACMotorDrives ·BatteryCharges	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX120N30T	文件：144.79 Kbytes Page：5 Pages	GigaMOSPowerMOSFET GigaMOS™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •InternationalStandardPackages •HighCurrentHandlingCapability •FastIntrinsicDiode •AvalancheRated •LowRDS(on) Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity A	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
RM120N30DF	文件：227.33 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON

产品属性

产品编号：
FGA120N30DTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.4V @ 15V，25A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 300V 120A 290W TO3P

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更多FGA120N30DTU供应商更新时间2024-6-7 18:01:00

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