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FF225R12ME4	文件：510.29 Kbytes Page：9 Pages	EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FF225R12ME4_B11	文件：556.54 Kbytes Page：9 Pages	EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FF225R12ME4_B11	文件：700.65 Kbytes Page：9 Pages	EconoDUAL3 Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FF225R12ME4_B11_13	文件：700.65 Kbytes Page：9 Pages	EconoDUAL3 Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FF225R12ME4P	文件：588.78 Kbytes Page：9 Pages	Motor drives	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FF225R12ME4P_B11	文件：580.52 Kbytes Page：9 Pages	EconoDUAL?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und PressFIT / NTC /	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FF225R12ME4B11BPSA2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FF225R12ME4BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 320A 1050W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FF225R12ME4PB11BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 450A 20MW	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
FF225R12ME4
功能描述：
IGBT 模块 IGBT 1200V 225A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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