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FF200R17KE3_S4

Infineon

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

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FF200R17KE3_S4

英飞凌
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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

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英飞凌
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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

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FF200R17KE3_S4

INF
NA

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

相关企业:深圳市弘为电子有限公司

FF200R17KE3_S4

INF
NA

L-COM

Infinite Electronics International, Inc.

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详细参数

  • 型号:

    FF200R17KE3_S4

  • 功能描述:

    IGBT 模块 IGBT 1200V 200A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FF200R17KE3_S4供应商 更新时间2024-4-30 16:44:00