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BAR2501D	文件：234.96 Kbytes Page：1 Pages	25AMPSOZADIODECELLS	DECDIOTEC Electronics Corporation DIOTEC Electronics Corporation	DEC
BD2501	文件：48.32 Kbytes Page：3 Pages	25ABOSCHTYPEPRESS-FITDIODE Features ●DiffusedJunction ●LowLeakage ●LowCost ●HighSurgeCurrentCapability ●TypicalIRlessthan5.0µA	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
BD2501	文件：30.14 Kbytes Page：2 Pages	25ABOSCHTYPEPRESS-FITDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
BD2501	文件：32.24 Kbytes Page：2 Pages	25ABOSCHTYPEPRESS-FITDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
BR2501	文件：159.21 Kbytes Page：2 Pages	SiliconBridgeRectifiers Features ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto300Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202method208 ◇Mounting:thruholefor#8screwmou	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BR2501	文件：224.7 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER FEATURES ◆Highforwardsurgecurrentcapability. ◆Lowthermalresistance. ◆Highisolationvoltagefromcasetolugs. ◆Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10second,at5lbs.(2.3kg)tension	SUNTANSUNTAN 舜天科技有限公司	SUNTAN
BR2501	文件：402.57 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR2501	文件：451.45 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT25.0Ampere	KINGTRONICSKingtronics International Company 金力金力国际公司	KINGTRONICS
BR2501	文件：100.14 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto300Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202method208 ◇Mounting:thruholefor#8screwmou	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BR2501	文件：193.27 Kbytes Page：2 Pages	AMPSiliconBridgeRectifiers VOLTAGE50V~1000V 10/15/25/35/50AMPSiliconBridgeRectifiers FEATURES .Surgeoverload240~400Amperespeak .Lowforwardvoltagedrop .MountingPosition:Any .Electricallyisolatedbase–2000volts .Solderable0.25”FASTONterminals .Materialsusedca	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BR2501	文件：81.87 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto300Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202method208 ◇Mounting:thruholefor#8screwmou	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BR2501	文件：34.68 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
BR2501	文件：34.49 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR2501	文件：82.37 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto300Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202method208 ◇Mounting:thruholefor#8screwmou	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BR2501	文件：96.52 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS SILICONBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-10/15/25/35/50Amperes FEATURES ●Surgeoverload-240~500amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Mountingposition:Any ●Electricallyisolatedbase-2000Volts ●Solderable0.25FASTONte	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
BR2501	文件：101.92 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
BR2501	文件：20.08 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
BR2501	文件：162.95 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Ratedisolation-voltage2000VAC *Pb/RoHSFree	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BR2501	文件：609.72 Kbytes Page：2 Pages	Idealforprintedcircuitboard FEATURES ◆Highforwardsurgecurrentcapability. ◆Lowthermalresistance. ◆Highisolationvoltagefromcasetolugs. ◆Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10second,at5lbs.(2.3kg)tension	SUNTANSUNTAN 舜天科技有限公司	SUNTAN
BR2501	文件：997.08 Kbytes Page：3 Pages	BridgeRectifiers Features ULrecognition,file#£230084 Universal3-wayterminals:snap-on,wire wrap-around,orPCBmounting Highsurgecurrentcapability Lowthermalresistance Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE

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详细参数

型号：
FDW2501
功能描述：
MOSFET TSSOP-8 N-CH DUAL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	FDW2501N	FAIRCHILD/仙童	2024+实力库存	TSSOP-8	280	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDW2501N	onsemi(安森美)	23+	TSSOP-8	9555	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多FDW2501供应商更新时间2024-5-17 16:36:00

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