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FDT434P中文资料PDF规格书

FDT434P
厂商型号

FDT434P

功能描述

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

244.57 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-23 12:16:00

FDT434P规格书详情

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

Features

• –5.5 A, –20 V. RDS(ON) = 0.050 Ω @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 0.070 Ω @ VGS = –2.5 V.

• Low gate charge (13nC typical)

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON).

• High power and current handling capability in a widely used surface mount package.

Applications

• Low Dropout Regulator

• DC/DC converter

• Load switch

• Motor driving

产品属性

  • 型号:

    FDT434P

  • 功能描述:

    MOSFET SOT-223 P-CH -20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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