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FDS8813NZ中文资料PDF规格书

FDS8813NZ
厂商型号

FDS8813NZ

功能描述

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 18.5A, 4.5mohm

文件大小

350.97 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-15 22:30:00

FDS8813NZ规格书详情

General Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.

This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

Features

■ Max rDS(on) = 4.5mΩ at VGS = 10V, ID = 18.5A

■ Max rDS(on) = 6.0mΩ at VGS = 4.5V, ID =16A

■ HBM ESD protection level of 5.6kV typical (note 3)

■ High performance trench technology for extremely low rDS(on)

■ High power and current handling capability

■ RoHS compliant

产品属性

  • 型号:

    FDS8813NZ

  • 功能描述:

    MOSFET 30 Volt N-Ch PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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