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FDS6692A中文资料PDF规格书

FDS6692A
厂商型号

FDS6692A

功能描述

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 9A, 11.5mOhm

文件大小

290.94 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-20 22:30:00

FDS6692A规格书详情

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.

Features

■ RDS(ON) = 11.5mΩ, VGS = 10V, ID = 9A

■ RDS(ON) = 14.5mΩ, VGS = 4.5V, ID = 8.2A

■ High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

■ Low gate charge

■ High power and current handling capability

■ RoHS Compliant

Applications

■ DC/DC converters

产品属性

  • 型号:

    FDS6692A

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 9A 11.5 OHM NCH POWER TR

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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