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5690	文件：1.21776 Mbytes Page：9 Pages	SB®175ConnectorsUpto280Amps Wiressizesfrom10to1/0AWG(5.3to50mm²)fitin thesecondtolargestconnectorintheSB®series.The 3poleSB®175addsanadditionalpositionforpower orgrounding.AllMultipolewireconnectorhousings aregenderlessandmatetothemselvesminimizing inventoryandassemblycomplex	APP Anderson Power Products, Inc.	APP
5690	文件：554.01 Kbytes Page：2 Pages	BoardtoBoardConnector	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社	KSS
5690-BK	文件：1.21776 Mbytes Page：9 Pages	SB®175ConnectorsUpto280Amps Wiressizesfrom10to1/0AWG(5.3to50mm²)fitin thesecondtolargestconnectorintheSB®series.The 3poleSB®175addsanadditionalpositionforpower orgrounding.AllMultipolewireconnectorhousings aregenderlessandmatetothemselvesminimizing inventoryandassemblycomplex	APP Anderson Power Products, Inc.	APP
5690F	文件：94.39 Kbytes Page：1 Pages	DualMountedT-1Multi-PositionLEDArrays	VCC Visual Communications Company	VCC
BCM5690	文件：124.67 Kbytes Page：1 Pages	SCALABLE12-PORTGIGABITETHERNETMULTILAYERSWITCH	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5690	文件：171.47 Kbytes Page：28 Pages	AScalableApproachtoGigabitEthernetSwitchDesign	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
FDB5690	文件：391.07 Kbytes Page：16 Pages	60VN-ChannelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(o	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB5690	文件：328.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=27mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD5690	文件：299.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=27mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD5690	文件：763.21 Kbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO,. LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD5690	文件：206.65 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelPowerTrench??MOSFET 60VN-ChannelPowerTrench®MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD5690	文件：167.87 Kbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP5690	文件：391.07 Kbytes Page：16 Pages	60VN-ChannelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(o	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS5690	文件：236.15 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •7A,60V.RDS(on)=0.028Ω@VGS=10VRDS(on)=0.0	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KDB5690	文件：58.8 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerTrenchTMMOSFET Features ●32A,60V.RDS(ON)=0.027Ω@VGS=10V RDS(ON)=0.032Ω@VGS=6V ●CriticalDCelectricalparametersspecifiedat elevatedtemperature. ●Ruggedinternalsource-draindiodecaneliminatethe needforanexternalZenerdiodetransientsuppressor.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LA5690D	文件：131.21 Kbytes Page：5 Pages	VoltageRegulatorDriverwithWatchdogTimer Overview TheLA5690isasingle-chipvoltageregulatorformicrocomputersystemmonitorusethatperformsthefunctionsof5Voutputvoltagecontrol,watchdogtimer,andvoltagedetector.TheLA5690usesaminimumnumberofpartstoprovidethebasicfunctions. Features •AnexternalPNPtransi	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LA5690S	文件：131.21 Kbytes Page：5 Pages	VoltageRegulatorDriverwithWatchdogTimer Overview TheLA5690isasingle-chipvoltageregulatorformicrocomputersystemmonitorusethatperformsthefunctionsof5Voutputvoltagecontrol,watchdogtimer,andvoltagedetector.TheLA5690usesaminimumnumberofpartstoprovidethebasicfunctions. Features •AnexternalPNPtransi	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NIPXI-5690	文件：1.52739 Mbytes Page：8 Pages	PXIRFSignalConditioning	NI National Instruments Inc.	NI
OV5690	文件：548.44 Kbytes Page：2 Pages	OV56905-megapixelproductbrief	OmniVision OmniVision Technologies, Inc.	OmniVision
VTU5690A	文件：74.94 Kbytes Page：1 Pages	PulsedCoupledCavityTWT	CPICommunications & Power Industries, Inc. Cpi	CPI

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详细参数

型号：
FDP5690_Q
功能描述：
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特莱科技有限公司	FDP5690MOS	FAIRCHILD/仙童	24+23+	TO-220	12580	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳兆威电子有限公司	FDP5690MOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	FDP5690MOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	10000	公司只做原装正品	询价
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更多FDP5690_Q供应商更新时间2024-6-8 10:36:00

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