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FDP55N06中文资料PDF规格书

FDP55N06
厂商型号

FDP55N06

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

331.77 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-27 11:22:00

FDP55N06规格书详情

FEATURES

·Drain Current –ID= 55A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= 60V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

产品属性

  • 型号:

    FDP55N06

  • 功能描述:

    MOSFET SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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