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FDP150N10A中文资料PDF规格书

FDP150N10A
厂商型号

FDP150N10A

功能描述

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 50A, 15m廓

文件大小

321.91 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 17:24:00

FDP150N10A规格书详情

Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

Features

• RDS(on) = 12.5 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 50 A

• Fast Switching Speed

• Low Gate Charge, QG = 16.2 nC (Typ.)

• High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)

• High Power and Current Handling Capability

• RoHS Compliant

Applications

• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU

• Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies

• Micro Solar Inverter

产品属性

  • 型号:

    FDP150N10A

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    PowerTrench®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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