FDMS86101中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
FDMS86101 |
| 功能描述 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：12.4A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,13A N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，60A，8mΩ 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的 |
| 文件大小 |
561.648 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 资料整理 | 深圳市亚泰盈科电子有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-18 11:49:00 |
产品属性
- 型号：
FDMS86101
- 功能描述：
MOSFET 100/20V Nch Power Trench
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
Power56 |
33500 |
全新进口原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
ON |
19+ |
QFN8 |
279 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
PQFN8 |
600000 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
询价 | ||
23+ |
N/A |
48700 |
正品授权货源可靠 |
询价 | |||
只做原装 |
21+ |
QFN |
36520 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2102+ |
9854 |
只做原装正品现货,或订货假一赔十! |
询价 | |||
ON/FAIRCH |
2019 |
PQFN-8L |
19700 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
询价 | ||
ON |
21+ |
SOT23 |
3000 |
询价 | |||
ON |
21+ |
PQFN-8L |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
QFN |
9000 |
原装正品 |
询价 |
