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FDI3652中文资料PDF规格书

FDI3652
厂商型号

FDI3652

功能描述

N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16m?

文件大小

272.25 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 20:20:00

FDI3652规格书详情

Features

• rDS(ON) = 14mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A

• Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V

• Low Miller Charge

• Low QRR Body Diode

• UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

• Qualified to AEC Q101

Applications

• DC/DC Converters and Off-line UPS

• Distributed Power Architectures and VRMs

• Primary Switch for 24V and 48V Systems

• High Voltage Synchronous Rectifier

• Direct Injection / Diesel Injection Systems

• 42V Automotive Load Control

• Electronic Valve Train Systems

产品属性

  • 型号:

    FDI3652

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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