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FDPF33N25T	文件：1.21132 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor®’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitable	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF33N25TRDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FDPF33N25T

文件：1.21132 Mbytes

Page：10 Pages

N-ChannelMOSFET

Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor®’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitable

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDPF33N25TRDTU

文件：298.83 Kbytes

Page：14 Pages

DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION

Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

JMPC33N25A

文件：559.636 Kbytes

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JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd.

捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司

PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司

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详细参数

型号：
FDI33N25TU
功能描述：
MOSFET TBD
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDI33N25TU供应商更新时间2024-6-19 16:59:00

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