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FDI150N10中文资料PDF规格书

FDI150N10
厂商型号

FDI150N10

功能描述

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 57 A, 16 m廓

文件大小

563.18 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-3 17:38:00

产品属性

  • 型号:

    FDI150N10

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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