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FDH210N08	文件：344.11 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=210A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.5mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchm	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDH210N08	文件：767.85 Kbytes Page：8 Pages	Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDH210N08	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 75V TO247-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDH210N08

文件：344.11 Kbytes

Page：2 Pages

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=210A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.5mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchm

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

FDH210N08

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Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDH210N08

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包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 75V TO247-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

产品属性

产品编号：
FDH210N08
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
管件
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
210A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
Vgs（最大值）：
±20V
功率耗散（最大值）：
462W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-247-3
封装/外壳：
TO-247-3
描述：
MOSFET N-CH 75V TO247-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FDH210N08	onsemi	24+	TO-247-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多FDH210N08供应商更新时间2024-5-21 22:49:00

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