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FDG326中文资料PDF规格书

FDG326
厂商型号

FDG326

功能描述

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

69.5 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 15:22:00

FDG326规格书详情

General Description

This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.

Features

• –1.5 A, –20 V. RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = –2.5 V

RDS(ON) = 250 mΩ @ VGS = –1.8 V

• Low gate charge

• High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

• Compact industry standard SC70-6 surface mount

package

Applications

• Battery management

• Load switch

产品属性

  • 型号:

    FDG326

  • 功能描述:

    MOSFET SC70-6 P-CH -20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHI
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SOT363
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