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FDD6696	文件：109.4 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •50A,30	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6696	文件：331.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDU6696	文件：109.4 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •50A,30	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MAX6696	文件：192.21 Kbytes Page：20 Pages	DualRemote/LocalTemperatureSensorswithSMBusSerialInterface	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX6696AEE	文件：192.21 Kbytes Page：20 Pages	DualRemote/LocalTemperatureSensorswithSMBusSerialInterface	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX6696AEE	文件：299.15 Kbytes Page：19 Pages	DualRemote/LocalTemperatureSensorswithSMBusSerialInterface	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX6696AEE+	文件：299.15 Kbytes Page：19 Pages	DualRemote/LocalTemperatureSensorswithSMBusSerialInterface	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX6696YAEE	文件：299.15 Kbytes Page：19 Pages	DualRemote/LocalTemperatureSensorswithSMBusSerialInterface	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX6696YAEE+	文件：299.15 Kbytes Page：19 Pages	DualRemote/LocalTemperatureSensorswithSMBusSerialInterface	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
ML6696	文件：278.59 Kbytes Page：16 Pages	100BASE-XFiberPhysicalLayer GENERALDESCRIPTION TheML6696implementsthecompletephysicallayeroftheFastEthernet100BASE-Xstandardforfibermedia.ThedeviceprovidestheMII(MediaIndependentInterface)forinterfacetoupper-layersilicon.TheML6696integratesthedataquantizerandtheLEDdriver,allowingthe	MICRO-LINEARMicro Linear Corporation Micro Linear Corporation	MICRO-LINEAR
ML6696CH	文件：278.59 Kbytes Page：16 Pages	100BASE-XFiberPhysicalLayer GENERALDESCRIPTION TheML6696implementsthecompletephysicallayeroftheFastEthernet100BASE-Xstandardforfibermedia.ThedeviceprovidestheMII(MediaIndependentInterface)forinterfacetoupper-layersilicon.TheML6696integratesthedataquantizerandtheLEDdriver,allowingthe	MICRO-LINEARMicro Linear Corporation Micro Linear Corporation	MICRO-LINEAR
ML6696CQ	文件：278.59 Kbytes Page：16 Pages	100BASE-XFiberPhysicalLayer GENERALDESCRIPTION TheML6696implementsthecompletephysicallayeroftheFastEthernet100BASE-Xstandardforfibermedia.ThedeviceprovidestheMII(MediaIndependentInterface)forinterfacetoupper-layersilicon.TheML6696integratesthedataquantizerandtheLEDdriver,allowingthe	MICRO-LINEARMicro Linear Corporation Micro Linear Corporation	MICRO-LINEAR

详细参数

型号：
FDD6696
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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