FDD6530A中文资料PDF规格书
FDD6530A规格书详情
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS( ON) and fast switching speed.
Features
• 21 A, 20 V
RDS(ON) = 32 mW @ VGS = 4.5 V
RDS(ON) = 47 mW @ VGS = 2.5 V
• Low gate charge (6.5 nC typical)
• Fast switching
• High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
Applications
• DC/DC converter
• Motor drives
产品属性
- 型号：
FDD6530A
- 功能描述：
MOSFET 20V N-Ch PowerTrench
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
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