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HCTS365DMSR	文件：200.43 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedHexBuffer/LineDriverNon-Inverting Description TheIntersilHCTS365MSisaRadiationHardenednoninvertinghexbufferandlinedriverwithTri-stateoutputs.Theoutputenables(OE1andOE2)controlthethree-stateoutputs.IfeitherOE1orOE2ishightheoutputswillbeinaHighimpedancestate.ForData,OE1andOE2mustbeLo	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS365HMSR	文件：200.43 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedHexBuffer/LineDriverNon-Inverting Description TheIntersilHCTS365MSisaRadiationHardenednoninvertinghexbufferandlinedriverwithTri-stateoutputs.Theoutputenables(OE1andOE2)controlthethree-stateoutputs.IfeitherOE1orOE2ishightheoutputswillbeinaHighimpedancestate.ForData,OE1andOE2mustbeLo	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS365K	文件：200.43 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedHexBuffer/LineDriverNon-Inverting Description TheIntersilHCTS365MSisaRadiationHardenednoninvertinghexbufferandlinedriverwithTri-stateoutputs.Theoutputenables(OE1andOE2)controlthethree-stateoutputs.IfeitherOE1orOE2ishightheoutputswillbeinaHighimpedancestate.ForData,OE1andOE2mustbeLo	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS365KMSR	文件：200.43 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedHexBuffer/LineDriverNon-Inverting Description TheIntersilHCTS365MSisaRadiationHardenednoninvertinghexbufferandlinedriverwithTri-stateoutputs.Theoutputenables(OE1andOE2)controlthethree-stateoutputs.IfeitherOE1orOE2ishightheoutputswillbeinaHighimpedancestate.ForData,OE1andOE2mustbeLo	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS365MS	文件：200.43 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedHexBuffer/LineDriverNon-Inverting Description TheIntersilHCTS365MSisaRadiationHardenednoninvertinghexbufferandlinedriverwithTri-stateoutputs.Theoutputenables(OE1andOE2)controlthethree-stateoutputs.IfeitherOE1orOE2ishightheoutputswillbeinaHighimpedancestate.ForData,OE1andOE2mustbeLo	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HE365	文件：126.27 Kbytes Page：1 Pages	BroadbandAmplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HEM365	文件：126.27 Kbytes Page：1 Pages	BroadbandAmplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HF365	文件：1.01198 Mbytes Page：5 Pages	HeavyDutySafetySwitches	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
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详细参数

型号：
FDC365P
功能描述：
MOSFET -35V P-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FDC365P	FAIRCHILD/仙童	24+	SSOT-6L	45000	热卖优势现货	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	FDC365P	ON/安森美	2019+	TSOP-6	78550	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市广弘电子有限公司	FDC365P	ON/安森美	20+	SOT-163	5500	代理库存,房间现货,有挂就是现货	询价
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深圳市振鑫微电子科技有限公司	FDC365P	Fairchild	23+	M/A	50000	全新原装现货热卖	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	FDC365P	ON/安森美		SSOT6L	7906200		询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDC365P	onsemi(安森美)	23+	SSOT-6	9908	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳宝隆芯业科技有限公司	FDC365P	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT23-6	56000	公司只做原装,支持订货,诚信经营	询价

更多FDC365P供应商更新时间2024-6-15 14:14:00

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