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FDA70N20	文件：854.65 Kbytes Page：8 Pages	200V N-Channel MOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDA70N20	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDA70N20	文件：346.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ATSAME70N20A-AN	文件：8.55659 Mbytes Page：1872 Pages	Atmel\|SMARTARM-basedFlashMCU	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATSAME70N20A-CN	文件：8.55659 Mbytes Page：1872 Pages	Atmel\|SMARTARM-basedFlashMCU	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
CEB70N20	文件：940.17 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF70N20	文件：940.17 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP70N20	文件：940.17 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
HM70N20T	文件：402.96 Kbytes Page：9 Pages	UPSandinverter.	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
SAME70N20	文件：284.59 Kbytes Page：41 Pages	SAME70/S70/V70/V71FamilySiliconErrataandDataSheetClarification	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
SAME70N20	文件：8.55659 Mbytes Page：1872 Pages	Atmel\|SMARTARM-basedFlashMCU	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
SAMS70N20	文件：8.55659 Mbytes Page：1872 Pages	Atmel\|SMARTARM-basedFlashMCU	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
SAMS70N20	文件：284.59 Kbytes Page：41 Pages	SAME70/S70/V70/V71FamilySiliconErrataandDataSheetClarification	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
SAMV70N20	文件：284.59 Kbytes Page：41 Pages	SAME70/S70/V70/V71FamilySiliconErrataandDataSheetClarification	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

详细参数

型号：
FDA70N20
功能描述：
MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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