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FCH041N60F	文件：600.51 Kbytes Page：9 Pages	FCH041N60F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 76 A, 41 m廓 Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCH041N60F	文件：339.99 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET, FRFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCH041N60F	文件：273.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTO-247packaging •Withlowgatedriverequirements •Easytodrive •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCH041N60F-F085	文件：515.28 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET - N-Channel, SUPERFET II, FRFET 600 V, 76 A, 41 m Description SUPERFET®IIMOSFETisONSemiconductor’sbrand−newhigh voltagesuper−junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon−resistanceandlowergate chargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimize conductionloss,providesupe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FCH041N60F-ND	文件：600.51 Kbytes Page：9 Pages	FCH041N60F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 76 A, 41 m廓 Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCH041N60E	文件：565.12 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelSuperFET짰IIEasy-DriveMOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCH041N60E	文件：372.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=77A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=41mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
FCH041N60F
功能描述：
MOSFET 600V N-Channel MOSFET, FRFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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