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FCA35N60	文件：770.04 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFET™isFarichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance. Features •650V@TJ=150°C •Typ.RDS(on)=0.079Ω •Ultralow	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA35N60	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA35N60	文件：347.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=79mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
35N60A	文件：851.66 Kbytes Page：5 Pages	35A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
DAM35N60F	文件：260.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM35N60H	文件：243.21 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FCH35N60	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCH35N60	文件：436.01 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperFET짰MOSFET Description SuperFET®MOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW35N60H	文件：635.16 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/35A Features Lowpowerloss Lowswitchingsurgeandnoise Highreliability,highruggedness(RBSOA,SCSOAetc.) Applications Uninterruptiblepowersupply Powercoditionner Powerfactorcorrectioncircuit	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW35N60HD	文件：640.08 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/35A 600V/35A Features Lowpowerloss Lowswitchingsurgeandnoise Highreliability,highruggedness(RBSOA,SCSOAetc.) Applications Uninterruptiblepowersupply Powercoditionner Powerfactorcorrectioncircuit	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
ICE35N60W	文件：964.41 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS MICROSS	MICROSS
ICE35N60W	文件：589.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOSIcemos Technology Icemos 技术	ICEMOS
ISPW35N60CFD	文件：335.61 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤118mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXDH35N60B	文件：101.3 Kbytes Page：4 Pages	IGBTwithoptionalDiode HighSpeed,LowSaturationVoltage Features ●NPTIGBTtechnology ●lowswitchinglosses ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●optionalultrafastdiode ●Internationalstandard	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXDP35N60B	文件：101.3 Kbytes Page：4 Pages	IGBTwithoptionalDiode HighSpeed,LowSaturationVoltage Features ●NPTIGBTtechnology ●lowswitchinglosses ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●optionalultrafastdiode ●Internationalstandard	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SIHB35N60E	文件：162.62 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB35N60E	文件：215.86 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB35N60EF	文件：192.22 Kbytes Page：10 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF35N60E	文件：183.32 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Aspecificonresistance(m-cm2)reductionof 25 •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF35N60E	文件：151.17 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
FCA35N60
功能描述：
MOSFET 35A, 600V SuperFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FCA35N60	onsemi	24+	TO-3PN	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多FCA35N60供应商更新时间2024-6-11 17:21:00

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