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FB30R06W1E3_B1中文资料PDF规格书

FB30R06W1E3_B1
厂商型号

FB30R06W1E3_B1

功能描述

EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC

文件大小

669.86 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-6 13:40:00

FB30R06W1E3_B1规格书详情

EasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC

ElectricalFeatures

• LowSwitchingLosses

• TrenchIGBT3

• VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient

• LowVCEsat

MechanicalFeatures

• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance

• Compactdesign

• SolderContactTechnology

• Rugged mounting due to integrated mounting clamps

TypicalApplications

• AuxiliaryInverters

• AirConditioning

• MotorDrives

产品属性

  • 型号:

    FB30R06W1E3_B1

  • 功能描述:

    IGBT 模块 IGBT 600V 30A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

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