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FB20R06W1E3	文件：570.34 Kbytes Page：10 Pages	EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC ElectricalFeatures •LowSwitchingLosses •TrenchIGBT3 •VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient •LowVCEsat MechanicalFeatures •Al2O3SubstratewithLowThermalResistance •Compactdesign •SolderContactTechnology •Ruggedmountingduetointegratedmountingclamps Typica	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FB20R06W1E3	文件：910.8 Kbytes Page：10 Pages	EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FB20R06W1E3_B1	文件：670.02 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC EasyPIM™modulewithTrench/FieldstoppIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FB20R06W1E3_13	文件：910.8 Kbytes Page：10 Pages	EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FB20R06W1E3_B11	文件：994.13 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FB20R06W1E3B11BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 600V 20A	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FB20R06W1E3B11HOMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 600V 29A 94W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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FP20R06W1E3	文件：654.42 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIMmodulewithTrench/FieldstoppIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP20R06W1E3	文件：963.99 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIMModulmitTrench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FS20R06W1E3	文件：790.07 Kbytes Page：9 Pages	EasyPACKModulmitTrench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FS20R06W1E3	文件：2.080639 Mbytes Page：9 Pages	EasyPACKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
FB20R06W1E3
功能描述：
IGBT 模块 IGBT-MODULE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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