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BLD128DA	文件：846.92 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BLD128DD	文件：705.06 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BLDB128D	文件：268.59 Kbytes Page：5 Pages	NPNDSERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 赛恩半导体深圳市赛恩半导体有限公司	SISEMIC
BSP128	文件：50.8 Kbytes Page：8 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BU128	文件：15.53 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BUL128	文件：65.379 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA.Thedeviceisdesign	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BUL128	文件：72.78 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL128	文件：79.68 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL128	文件：168.91 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	SUNTACSuntac Electronic Corp. Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
BUL128	文件：235.5 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL128	文件：265.57 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=0.7V(Max)@IC=0.5A ·VeryHighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitchmodepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUL128D	文件：66.76 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltage,highspeed ·Integratedantiparallelcollector-emitterdiode APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FC128	文件：37.33 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconCompositeTransistorSwitchingApplications(withBiasResistance) Features •On-chipbiasresistance(R1=10kΩ). •Compositetypewith2transistorscontainedinthe CPpackagecurrentlyinuse,improvingthemountingefficiencygreatly. •TheFC128isformedwithtwochips,beingequivalent tothe2SC3859,placedinonepackage. •Excellentintherma	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FD128MX	文件：234.81 Kbytes Page：11 Pages	SinglePhaseSmartDCMotorDriverIC	FEELINGFEELING 遠翔科技遠翔科技股份有限公司	FEELING
FD128MX-LF	文件：234.81 Kbytes Page：11 Pages	SinglePhaseSmartDCMotorDriverIC	FEELINGFEELING 遠翔科技遠翔科技股份有限公司	FEELING
FD128NX	文件：234.81 Kbytes Page：11 Pages	SinglePhaseSmartDCMotorDriverIC	FEELINGFEELING 遠翔科技遠翔科技股份有限公司	FEELING
FD128NX-LF	文件：234.81 Kbytes Page：11 Pages	SinglePhaseSmartDCMotorDriverIC	FEELINGFEELING 遠翔科技遠翔科技股份有限公司	FEELING
FDJ128N	文件：174.65 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel2.5VgsSpecifiedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FSDLC128-S	文件：252.72 Kbytes Page：2 Pages	Capacity:128MBto32GB	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾讯股份有限公司	AXIOMTEK
FSDVC128-S	文件：252.72 Kbytes Page：2 Pages	Capacity:128MBto32GB	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾讯股份有限公司	AXIOMTEK

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详细参数

型号：
FA-128
制造商：
Epson Toyocom Corporation
功能描述：
CRYSTAL FA-128 24MHZ 10PPM 10PF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	FA-128	进口原装	23+	SMD	43356	全新原装现货,专业代理热卖	询价
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