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IRF9Z24STRR	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24STRRPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24STRRPBFA	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFI9Z24G	文件：173.66 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFI9Z24G	文件：1.50693 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFI9Z24G	文件：2.028 Mbytes Page：7 Pages	IsolatedPackage	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFI9Z24GPBF	文件：1.50693 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFI9Z24N	文件：119.52 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
KMB9Z24	文件：649.18 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSM9Z24N	文件：615.61 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SFI9Z24	文件：275.23 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFP9Z24	文件：281.23 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFP9Z24	文件：231.36 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●175oCOperetingTemperature ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:-10µA(Max.)@VDS=-60V ●LowRDS(ON):0.206Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFS9Z24	文件：280.73 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●175°COperatingTemperature ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-60V ●LowRDS(ON):0.206Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFS9Z24	文件：271.63 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFW9Z24	文件：349.44 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFWI9Z24	文件：280.8 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIHF9Z24	文件：1.81473 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SiHF9Z24	文件：277.52 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHF9Z24L	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多F9Z24N供应商更新时间2024-6-4 15:20:00

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