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F6N80中文资料PDF规格书

F6N80
厂商型号

F6N80

功能描述

Ultra low gate charge

文件大小

831.19 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-25 18:49:00

F6N80规格书详情

Description

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Features

• Industry’s lowest RDS(on)

• Industry’s best figure of merit (FoM)

• Ultra low gate charge

• 100 avalanche tested

• Zener-protected

Applications

• Switching applications

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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