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F1022中文资料PDF规格书

F1022
厂商型号

F1022

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件大小

38.81 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 POLYFET
企业简称

Polyfet

中文名称

POLYFET官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 18:22:00

F1022规格书详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet™ process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

80Watts Gemini Package Style AK

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

产品属性

  • 型号:

    F1022

  • 制造商:

    Texas Instruments

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