选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童IGBT |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童IGBT |
500 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)DIP-32 |
907 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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仙童MODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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仙童MODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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FAIRCHILDIGBT |
5 |
07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童 |
980 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA |
1120 |
22+ |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
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华富测量(深圳)传感技术有限公司7年
留言
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原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童MODULE |
1709 |
21+ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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FairchildSemiconductorMODULESPM600V30ASPM32AA |
1690 |
23+ |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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FAIRCHILD/仙童 |
265 |
23+ |
现货供应 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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FAIRCHILD模块 |
300 |
2018 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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FairchildSPM32AA |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童MODULE |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童MODULE |
30332 |
22+ |
原装正品现货 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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FAIRCHILDMODULE |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童MODULE |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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FSAM30SM60SL价格:¥381.5384品牌:FAI
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FSAM30SM60A 深圳市瑞祺芯科技有限公司
型号:FSAM30SM60A厂商:FAIRCHILD封装:SPM32原装现货优势库存,欢迎询购!深圳市瑞祺芯科技有限公司,专业IC销售:NSSTADTOSHIBATIONXILINX等。QQ:1300494240/2639752116电话:0755-28892389/0755-89340960手机:13713856319联系人:李小姐
FSAM30SM60SL中文资料Alldatasheet PDF
更多FSAM30SM60A功能描述:IGBT 模块 600V/30A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSAM30SM60SL功能描述:IGBT 模块 600V/30A Smart Power RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: