| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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MITTO-3P |
5000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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三菱TO-247 |
3000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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MITSUBISHITO-3P |
5000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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MITSUBIS三凌TO-3P |
18000 |
23+ |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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RENESASTO-3P |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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MITTO-3P |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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MITSUBISHTO-3P |
272 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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MITSUBISHTO-3P |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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瑞萨TO3P |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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MITSUBITO-3P |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO3P |
68900 |
瑞萨 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-3P |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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MITSUBISHTO-3P |
2772 |
23+ |
原厂原装正品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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MITSUBISHMODULE |
2100 |
17+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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瑞萨/三菱NA/ |
4815 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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瑞萨/三菱TO3P |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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MITSUBISHTO-3P |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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FS70SM图片
FS70SMJ-2中文资料Alldatasheet PDF
更多FS70SM03功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-247VAR
FS70SM06功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-247VAR
FS70SM-06功能描述:MOSFET N-CH 60V 70A TO-3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
FS70SM-06#B00功能描述:MOSFET N-CH 60V 70A TO-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
FS70SM-06-A8制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS70SM2功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-247VAR
FS70SM-2制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:POWER MODULE - Rail/Tube
FS70SM-2#B00制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bag
FS70SM-2-A8制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS70SMH03功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-247VAR
