| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263 |
10469 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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FAIRCHILDRCHILDSOT263 |
200 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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FAIRCTO-263 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCTO-263(D2PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36500 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-263 |
45000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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仙童TO-263 |
3800 |
06+ |
原装 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILDSOT-263 |
32500 |
1709+ |
普通 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美DPAK |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILTO-263-2 |
5425 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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FAIRCHILDNA |
5556 |
23+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ONTO-263 |
100 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FAIRCHILDTO-263 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-263 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
FQB10N20采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
FQB10N20图片
FQB10N20中文资料Alldatasheet PDF
更多FQB10N20制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK
FQB10N20C制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
FQB10N20CTM功能描述:MOSFET N-CH/200V/10A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQB10N20L制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB10N20LTM功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQB10N20TM功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
