| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO 3P |
154841 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-3P |
7814 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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仙童TO-3P |
52 |
11+ |
只做原装正品 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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FairchildTO-247 |
19700 |
2019 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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DIP-6 |
4253 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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ONSOT23 |
9900 |
21+ |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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FAIRCHILDTO-3PN |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-3P |
10053 |
2105+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-3P |
7814 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-3P |
11676 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-3P |
12800 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ON/安森美TO-3P |
9000 |
24+ |
只做原装只有原装假一罚百可开增值税票 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3PN |
9800 |
23+ |
原厂原装假一赔十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-247TO-3PTO-3PF |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-3P |
7408 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO-3P |
65400 |
23+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FSCTO-247 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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ONSEMINA |
2450 |
18+ROHS |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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ON/FSCTO-3P |
5000 |
23+ |
公司现货原装 |
FQA11N90采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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FQA11N90C_F109价格
FQA11N90C_F109价格：￥13.6798品牌：Fairchild
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FQA11N90C 深圳市凌涵科技有限公司 全新供应！
产品种类:MOSFETRoHS:符合RoHS详细信息技术:Si安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-3P-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:900VId-连续漏极电流:11ARdsOn-漏源导通电阻:1.4OhmsVgs-栅极-源极电压:30V最大工作温度:+150C封装:Bulk通
FQA11N90C供应商，价格，中文资料 天泽恒电子
FQA11N90C 900VN沟道MOSFET 特点 •11A，900V，RDS（ON）=1.1Ω@VGS=10V •低栅极电荷（典型60nC的） •低Crss（典型值23pF） •快速开关 •100％的雪崩测试
FQA11N90C中文资料Alldatasheet PDF
更多FQA11N90功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQA11N90_06制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQA11N90_07制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQA11N90_F109功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQA11N90C功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQA11N90C_06制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQA11N90C_07制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQA11N90C_F109功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQA11N90C-F109制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm
FQA11N90F109制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET?? MOSFET 900 V, 11.4 A, 960 m??
