| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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ROHMSMT5 (SC-74A) |
3000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆SOT-153 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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3000 |
20+ |
SMT5 (SC-74A) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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ROHMSMT5 (SC-74A) |
3000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市大时代电子有限公司1年
留言
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ROHM/罗姆SOT153 |
3000 |
15+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ROHM/罗姆NA/ |
8000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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ROHM原厂封装 |
3000 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ROHMSOT-153 |
3000 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SOT-153NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ROHM |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ROHMSOT-235 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ROHMSOT-153SOT-23-5 |
9200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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ROHMSOT23-5 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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ROHMSOT-153 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ROHM/罗姆SOT153 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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ROHMSOT-153 |
3000 |
96+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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ROHMSOT-153 |
5500 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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ROHMSOT-153 |
6680 |
23+ |
全新原装优势 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ROHMSOT-23 |
65300 |
20+ |
一级代理/放心购买! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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ROHMSOT-153 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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FMG1图片
FMG11AT148价格
FMG11AT148价格：￥0.6055品牌：Rohm
生产厂家品牌为Rohm的FMG11AT148多少钱，想知道FMG11AT148价格是多少？参考价：￥0.6055。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FMG11AT148批发价格及采购报价，FMG11AT148销售排行榜及行情走势，FMG11AT148报价。
FMG1中文资料Alldatasheet PDF
更多FMG11功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-25
FMG11A制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Emitter common(dual digital transistors)
FMG11AT148功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
FMG12功能描述:TRANSISTOR | 15V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-25
FMG13功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-25
FMG1A制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semiconductor(Discrete),FMG1AT148,Trans
FMG1AT148功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 50V 30MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
FMG1G100US60H功能描述:IGBT 晶体管 600V/100A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FMG1G100US60L功能描述:IGBT 晶体管 600V/100A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FMG1G150US60H功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
