| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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onsemi/安森美TO-3P |
4500 |
新批次 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
310 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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22543 |
23+ |
原装正品现货,原厂技术支持。工程对接 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Freescale(飞思卡尔)标准封装 |
21663 |
23+ |
我们只是原厂的搬运工 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
8950 |
2024+原装现货 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-3P |
9852 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILDTO-247 |
1609 |
21+ |
只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILDTO-3P |
20000 |
2022+ |
只做原装进口现货.假一罚十 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-3P-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-247 |
360000 |
22+ |
进口原装房间现货实库实数 |
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深圳市达恩科技有限公司10年
留言
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FairchildSemiconductorNA |
3000 |
18+ |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-247 |
6893 |
2023+ |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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FAIRCHILDTO-3P |
49077 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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FSCTO-3PN |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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Fairchild/ONSemiconductoTO-3P |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3PN |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳企栗科技有限公司1年
留言
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N/ATO-247 |
468 |
11+ |
全新原装亏本出13157115792 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-247 |
9000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
10500 |
22+ |
只有原装 低价 实单必成 |
FGA50N100BNTD2采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
FGA50N100BNTD2图片
FGA50N100BNTD2价格
FGA50N100BNTD2价格：￥12.5006品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的FGA50N100BNTD2多少钱，想知道FGA50N100BNTD2价格是多少？参考价：￥12.5006。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FGA50N100BNTD2批发价格及采购报价，FGA50N100BNTD2销售排行榜及行情走势，FGA50N100BNTD2报价。
FGA50N100BNTD2中文资料Alldatasheet PDF
更多FGA50N100BNTD2功能描述:IGBT 晶体管 N-ch / 50A 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
FGA50N100BNTD2
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT 和沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，60A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
34ns/243ns
- 测试条件：
600V，60A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
