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深圳市华睿芯科技有限公司

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FF600R12KE7EHPSA1

Infineon/英飞凌Module

1262

23+

原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!!

深圳市纽联电子有限公司

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FF600R12KE4_E

infineonMODULE

20

1741+

共发射极IGBT模块,1200V,600A,DS-v02_00 infineon

深圳市钦宇承科技有限公司

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FF600R12KT4

INFINEONIGBT

120

批次23+

1
+:¥650.00

深圳市德创芯微科技有限公司

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FF600R12ME4C-B11

infienon英飞凌专营模块

500

22+

全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微

中天科工半导体(深圳)有限公司

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FF600R12ME4

SOP

28063

23+

1+
:¥0.888

热卖原装进口

中天科工半导体(深圳)有限公司

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FF600R12ME4_B72

原装NA

40944

23+

1+
:¥0.888

热卖原装进口

深圳市科创腾达科技有限公司

3年 留言
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INFINEONIGBT

999999

22+

FF600R12ME4

深圳市纳艾斯科技有限公司

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INFINEON原厂原装正品

8000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市凌特半导体科技有限公司

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Infineon英飞凌专营IGBT

9000

原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期

深圳市拓亿芯电子有限公司

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INFINEON/英飞凌

15000

23+

原装现货假一赔十

深圳市天芯威科技有限公司

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Infineon(英飞凌)IGBT

25900

23+

新到现货,只有原装

深圳市明嘉莱科技有限公司

4年 留言
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INFINEON/英飞凌IGBT

918000

23+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市云迪科技有限公司

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INF模块

10000

22+

原装正品优势供应

深圳市富芯乐电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌IGBT模块

1130

23+

原厂授权,一级代理IGBT模块,可控硅模块

深圳市浩睿泽电子科技有限公司

2年 留言
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英飞凌N/A

1500

新批次

深圳市华来深电子有限公司

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    朱先生 /林小姐

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INFINEONIGBT

200

23+

原包装原标签特价销售

深圳市华来深电子有限公司

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INFINEONIGBT

1896

23+

公司优势库存热卖全新原装!欢迎来电

深圳市云美电子科技有限公司

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INFINEON原封装

81220

22+

只做原装进口货

深圳市振宏微科技有限公司

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Infineon(英飞凌)NA

7000

23+

原装正品!假一罚十!

深圳市金华微盛电子有限公司

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INFINEON/英飞凌SMD

30000

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FF600R12ME4价格

FF600R12ME4价格:¥1496.8931品牌:Infineon

生产厂家品牌为Infineon的FF600R12ME4多少钱,想知道FF600R12ME4价格是多少?参考价:¥1496.8931。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FF600R12ME4批发价格及采购报价,FF600R12ME4销售排行榜及行情走势,FF600R12ME4报价。

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FF600R12IE4功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF600R12IP4功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF600R12IS4F功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF600R12KE3功能描述:IGBT 模块 1200V 600A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF600R12KF1功能描述:IGBT Module

FF600R12KF4功能描述:IGBT 模块 1200V 600A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF600R12KL4C功能描述:IGBT 模块 1200V 600A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF600R12ME4功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF600R12ME4_B11制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 600A 1200V

FF600R12ME4B11BOSA1制造商:Infineon Technologies AG