| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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INFINEONMODULE |
15550 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
10000 |
22+ |
原装优质现货订货渠道商 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT模块 |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IGBT |
55 |
23+ |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳良洲科技有限公司2年
留言
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INFINEONNA |
10000 |
23+ |
原装现货,实单价格可谈 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINOENmodule |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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InfineonModules |
538 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONIGBT |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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5000 |
2018+ |
全新原装真实库存含13点增值税票！ |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
10048 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
FF300R12KE采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
FF300R12KE图片
FF300R12KE4价格
FF300R12KE4价格：￥913.3463品牌：INFINEON
生产厂家品牌为INFINEON的FF300R12KE4多少钱，想知道FF300R12KE4价格是多少？参考价：￥913.3463。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FF300R12KE4批发价格及采购报价，FF300R12KE4销售排行榜及行情走势，FF300R12KE4报价。
FF300R12KE4资讯
FF300R12KE4
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FF300R12KE3
FF300R12KE3全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291
FF300R12KE3最新到货，原装正品
全新原装正品优势英飞凌FF300R12KE3
FF300R12KE4中文资料Alldatasheet PDF
更多FF300R12KE3功能描述:IGBT 晶体管 1200V 300A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FF300R12KE3_B2功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 480A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF300R12KE3_B2,C-SERIE制造商:Infineon Technologies AG
FF300R12KE4功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 460A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF300R12KE4_B2功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
