| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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INFINEONIGBT |
1200 |
23+ |
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FUJI/INFINEON代理授权供应商/原装正品假 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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INFINEONN/A |
12000 |
23+ |
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一级代理全新进口原装公司现货、假一罚十 |
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深圳市芯纬度科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT模块 |
90 |
2236+ |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌专营模块 |
5000 |
23+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)MODULE |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-62MM-1 |
5641 |
2307+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
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INFINEONMODULE |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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INFINEON英飞凌原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-62mm |
7798 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
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INFINEONMODULE |
6000 |
2年内 |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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InfineonIGBT 模块 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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680 |
23+ |
原厂原装假一赔十 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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BGA |
9516 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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15000 |
23+ |
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深圳良洲科技有限公司2年
留言
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INFINEONNA |
10000 |
23+ |
原装现货,实单价格可谈 |
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FF300R17KE4价格
FF300R17KE4价格：￥1142.9512品牌：INFINEON
生产厂家品牌为INFINEON的FF300R17KE4多少钱，想知道FF300R17KE4价格是多少？参考价：￥1142.9512。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FF300R17KE4批发价格及采购报价，FF300R17KE4销售排行榜及行情走势，FF300R17KE4报价。
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FF300R12KT4 原装正品
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FF300R12ME4 全新现货，质量保证
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FF300R17KE3中文资料Alldatasheet PDF
更多FF300R06KE3功能描述:IGBT 模块 N-CH 600V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF300R06KE3_B2功能描述:IGBT 模块 IGBT 600V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF300R06ME3功能描述:IGBT 模块 IGBT 600V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF300R07KE4制造商:Infineon Technologies AG
FF300R07ME4_B11功能描述:IGBT 模块 IGBT Module 300A 650V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF300R12KE3功能描述:IGBT 晶体管 1200V 300A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FF300R12KE3_B2功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 480A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF300R12KE3_B2,C-SERIE制造商:Infineon Technologies AG
FF300R12KE4功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 460A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF300R12KE4_B2功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
