| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263 |
3644 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FAIRCHILD |
30000 |
08PB |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FTO-263AB |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市九方航科技有限公司3年
留言
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VBSEMITO-263AB |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VBTO-263AB |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
64610 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263 |
154692 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILDSOT263 |
65895 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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原装FAIRCHILDTO-263 |
6500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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FSCNA |
731 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263(D2PAK) |
122333 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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FSCTO-263 |
6000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Fairchild/ONTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-263 |
5000 |
02+ |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
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FAIRCHILD |
970 |
2003+ |
原装正品现货供应 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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FAIRCHILDTO263 |
5300 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FTO-263AB |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
FDB6030采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
FDB6030图片
FDB6030PL中文资料Alldatasheet PDF
更多FDB6030制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDB6030BL功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB6030BL_Q功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB6030L功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB6030L_Q功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
