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CR2016	文件：1.82584 Mbytes Page：1 Pages	GPLithiumCellBattery3Volts BENEFITS: -Widerangeofoperatingtemperatures, from-10˚Cto+60˚C -Longshelflifeof10years	GPGP Batteries International Limited GPI国际有限公司	GP
CT2016DB	文件：69.53 Kbytes Page：1 Pages	Crystalunitssurfacemounttype	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社	KSS
CX2016DB	文件：125.96 Kbytes Page：1 Pages	2.0횞1.6mmforConsumerProducts	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社	KSS
CX2016GR	文件：331.71 Kbytes Page：1 Pages	Crystalunitssurfacemounttype	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社	KSS
CX2016SA	文件：296.07 Kbytes Page：1 Pages	Crystalunitssurfacemounttype	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社	KSS
CXA2016S	文件：183.52 Kbytes Page：12 Pages	SyncIdentificationforCRTDisplay Description TheCXA2016Sisusedforsyncsignal identificationandwaveformshapingintheCRT computersdisplayformulti-scansystem.Thereare threetypesofsyncinputsignalsforidentification: separatesync,compositesync,andsynconvideo signals. Features •Po	SonySONY 索尼	Sony
CZRB2016	文件：97.36 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountZenerDiode Voltage:11-100VoltsPower:2.0Watt Features -Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace -Lowprofilepackage -Built-instrainrelief -Glasspassivatedjunction -Lowinductance -Excellentclampingcapability -TypicalIlessthan1uAabove11VD -Highte	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
D2016UK	文件：32.9 Kbytes Page：2 Pages	ROHSCOMPLIANTMETALGATERFSILICONFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DG2016	文件：131.26 Kbytes Page：8 Pages	High-Bandwidth,LowVoltage,DualSPDTAnalogSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG2016	文件：131.26 Kbytes Page：8 Pages	High-Bandwidth,LowVoltage,DualSPDTAnalogSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG2016	文件：110.25 Kbytes Page：7 Pages	High-Bandwidth,LowVoltage,DualSPDTAnalogSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG2016	文件：62.5 Kbytes Page：6 Pages	High-Bandwidth,LowVoltage,DualSPDTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2016/DG2026aremonolithicCMOSdualsingle-pole/double-throw(SPDT)analogswitchs.Theyarespecificallydesignedforlow-voltage,highbandwidthapplications. TheDG2016/DG2026’son-resistance(3Ωat2.7V),matchingandflatnessareguaranteedovertheentireanalogvoltag	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG2016	文件：134.66 Kbytes Page：8 Pages	High-Bandwidth,LowVoltage,DualSPDTAnalogSwitches FEATURES •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 Definition •SingleSupply(1.8Vto5.5V) •LowOn-Resistance-RON:2.4 •CrosstalkandOffIsolation:-81dBat1MHz •MSOP-10Package •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •ReducedPowerConsumption •HighAccura	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG2016DQ	文件：62.5 Kbytes Page：6 Pages	High-Bandwidth,LowVoltage,DualSPDTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2016/DG2026aremonolithicCMOSdualsingle-pole/double-throw(SPDT)analogswitchs.Theyarespecificallydesignedforlow-voltage,highbandwidthapplications. TheDG2016/DG2026’son-resistance(3Ωat2.7V),matchingandflatnessareguaranteedovertheentireanalogvoltag	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DMN2016LFG	文件：194.48 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2016LHAB	文件：302.67 Kbytes Page：6 Pages	LowOn-Resistance	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2016LHAB	文件：302.67 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2016UFX	文件：591.3 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtected TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2016UTS	文件：173.63 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DS2016	文件：254.16 Kbytes Page：9 Pages	2kx83V/5VOperationStaticRAM DESCRIPTION TheDS20162kx83V/5VOperationStaticRAMisa16,384-bit,low-power,fullystaticrandomaccessmemoryorganizedas2048wordsby8bitsusingCMOStechnology.Thedeviceoperatesfromasinglepowersupplywithavoltageinputbetween2.7and5.5volts.Thechipenableinput(CE	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas

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