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IRFF122	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors 5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESSGE Solid State GE Solid State	GESS
ISCD122	文件：251.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCI122P	文件：222.07 Kbytes Page：2 Pages	iscThyristors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISO122	文件：188.07 Kbytes Page：13 Pages	PrecisionLowestCostISOLATIONAMPLIFIER	BURR-BROWNTexas Instruments Incorporated 德州德州仪器	BURR-BROWN
ISO122	文件：762.18 Kbytes Page：20 Pages	PrecisionLowestCostISOLATIONAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ISO122	文件：1.05304 Mbytes Page：26 Pages	PrecisionLowest-CostIsolationAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ISO122JP	文件：762.18 Kbytes Page：20 Pages	PrecisionLowestCostISOLATIONAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ISO122JP	文件：188.07 Kbytes Page：13 Pages	PrecisionLowestCostISOLATIONAMPLIFIER	BURR-BROWNTexas Instruments Incorporated 德州德州仪器	BURR-BROWN

更多ESD122供应商更新时间2024-5-15 15:00:00