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2612	文件：47.75 Kbytes Page：2 Pages	BandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
2612	文件：148.28 Kbytes Page：2 Pages	SMDRFManualTunableInductor	YANTELYantel Corporation 研通高频深圳市研通高频技术有限公司
2612B	文件：2.05776 Mbytes Page：36 Pages	2600BSystemSourceMeter®SMUInstruments KeyFeatures •Tightlyintegrated,4-quadrantvoltage/current sourceandmeasureinstrumentsofferbestinclass performancewith6½-digitresolution •Familyofmodelsofferindustry’swidestdynamic range:10Apulseto0.1fAand200Vto100nV •Built-inwebbrowserbasedsoftwareenabl	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司
2612B	文件：1.32755 Mbytes Page：35 Pages	2600BSystemSourceMeterSMUInstruments	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司
2612G	文件：35.61 Kbytes Page：1 Pages	LEDBACKLIGHTFORLCDDISPLAY LEDBACKLIGHTFORLCDDISPLAY	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics
AAT2612	文件：4.21472 Mbytes Page：18 Pages	Step-DownDC/DCConverterWithThreeHighPSRRLDOs	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司
AG2612G	文件：35.61 Kbytes Page：1 Pages	LEDBACKLIGHTFORLCDDISPLAY LEDBACKLIGHTFORLCDDISPLAY	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics
AN2612	文件：1.70116 Mbytes Page：28 Pages	Single5-VDCpowersupply	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
AP2612GY-HF	文件：101.7 Kbytes Page：4 Pages	Capableof1.8VGateDrive,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
DEM2612C	文件：102.93 Kbytes Page：1 Pages	Lowprofile(2.6x2.8mmsquare,1.2mmMax.height).	Toko Toko Inc.
DG2612	文件：203.41 Kbytes Page：8 Pages	Low-Voltage,LowRON,SPDTAudioSwitchwithNegativeSwingCapability FEATURES •Lowvoltageoperation(1.8Vto5.5V) •Lowon-resistance-RON:1.0Ωat2.7V •Highbandwidth BENEFITS •Negativesignalswingcapability •Shuntswitchtoeliminateswitchingnoise •SimplifieddesignwithdirectDCcoupling •SpacesavingSC-89package APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技
DG2612	文件：162.96 Kbytes Page：7 Pages	Low-Voltage,LowrON,SPDTAudioSwitchwithNegativeSwingCapability	VishayVishay Siliconix 威世科技
DG2612	文件：155.34 Kbytes Page：7 Pages	Low-Voltage,LowrON,SPDTAudioSwitchwithNegativeSwingCapability	VishayVishay Siliconix 威世科技
EC2612	文件：140.18 Kbytes Page：8 Pages	40GHzSuperLowNoisepHEMT	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors
EC2612	文件：111.13 Kbytes Page：8 Pages	40GHzSuperLowNoisePHEMT Description TheEC2612isbasedona0.15µmgatepseudomorphichighelectronmobilitytransistor(0.15µmPHEMT)technology.Gatewidthis120µmandthe0.15µmT-shapedaluminiumgatefeatureslowresistanceandexcellentreliability.Thedeviceshowsaveryhightransconductancewhichleadsto	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors
FDC2612	文件：201.74 Kbytes Page：5 Pages	200VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •1.1	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDC2612	文件：1.11279 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET200V,1.5A,0.7 Features Vbs=200V b=1.5A Roson)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司
FDD2612	文件：298.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=720mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDD2612	文件：110.96 Kbytes Page：5 Pages	200VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •4.9A,2	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FTK2612AD	文件：1.13484 Mbytes Page：5 Pages	20VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd

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更多ES2612CS电源IC供应商更新时间2024-4-28 16:28:00

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