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EMB16N06CS	文件：230.07 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB16N06G	文件：211.66 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)16mΩ ID6.7A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB16N06H	文件：222.19 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)16mΩ ID42A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FTP16N06N	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
NP16N06QLK	文件：376.32 Kbytes Page：9 Pages	DualN-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP16N06YLL	文件：341.71 Kbytes Page：9 Pages	60V??16A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PJD16N06A	文件：464.2 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@8A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD16N06A-AU	文件：431.14 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@8A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
RFD16N06	文件：960.51 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFD16N06	文件：85.03 Kbytes Page：7 Pages	16A,60V,0.047Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Description TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFD16N06LE	文件：342.79 Kbytes Page：7 Pages	16A,60V,0.047Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingamodernprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance. Features •16A,60V •rDS(ON)=0.047Ω •TemperatureCompensati	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFD16N06LESM	文件：342.79 Kbytes Page：7 Pages	16A,60V,0.047Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingamodernprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance. Features •16A,60V •rDS(ON)=0.047Ω •TemperatureCompensati	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFD16N06LESM	文件：193.57 Kbytes Page：7 Pages	16A,60V,0.047Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingamodernprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance. Features •16A,60V •rDS(ON)=0.047Ω •TemperatureCompensati	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD16N06LESM	文件：897.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFD16N06SM	文件：85.03 Kbytes Page：7 Pages	16A,60V,0.047Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Description TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

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