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EL5175IYZ	文件：753.55 Kbytes Page：15 Pages	550MHz Differential Line Receivers TheEL5175andEL5375aresingleandtriplehighbandwidthamplifiersdesignedtoextractthedifferencesignalfromnoisyenvironments.Theyareprimarilytargetedforapplicationssuchasreceivingsignalsfromtwisted-pairlinesoranyapplicationwherecommonmodenoiseinjectionislikelyto	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
EL5175IYZ	文件：441.12 Kbytes Page：15 Pages	550MHz Differential Line Receivers TheEL5175andEL5375aresingleandtriplehighbandwidthamplifiersdesignedtoextractthedifferencesignalfromnoisyenvironments.Theyareprimarilytargetedforapplicationssuchasreceivingsignalsfromtwisted-pairlinesoranyapplicationwherecommonmodenoiseinjectionislikelyto	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
EL5175IYZ	文件：337.26 Kbytes Page：16 Pages	550MHz Differential Line Receivers	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
EL5175IYZ-T13	文件：337.26 Kbytes Page：16 Pages	550MHz Differential Line Receivers	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
EL5175IYZ-T7	文件：337.26 Kbytes Page：16 Pages	550MHz Differential Line Receivers	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ACE5175X	文件：255.9 Kbytes Page：4 Pages	7V600mA75dBHighPSRR,HighSpeedLDO	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE5175XBNH	文件：255.9 Kbytes Page：4 Pages	7V600mA75dBHighPSRR,HighSpeedLDO	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
AD5175	文件：1.033619 Mbytes Page：20 Pages	Single-Channel,1024-Position,DigitalRheostatwithI2CInterfaceand50-TPMemory	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BX5175	文件：73.67 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
C5175G	文件：880.27 Kbytes Page：2 Pages	5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C5175K	文件：880.27 Kbytes Page：2 Pages	5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C5175V	文件：880.27 Kbytes Page：2 Pages	5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
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CEB5175	文件：503.67 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-50A,RDS(ON)=23mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED5175	文件：269.98 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-40A,RDS(ON)=23mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=28mW@VGS=-4.5V. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED5175	文件：274 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-40A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP5175	文件：683.38 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-50A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
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详细参数

型号：
EL5175IYZ
功能描述：
差分放大器 EL5175IYZ 500MHZCVR
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 Channel
带宽：
2.4 GHz
可用增益调整：
6 dB to 26 dB
共模抑制比（最小值）：
- 40 dB
工作电源电压：
4.75 V to 5.25 V
电源电流：
100 mA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
WQFN-24
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EL5175IYZ供应商更新时间2024-5-31 17:01:00

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