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EDJ1116DJBG-GN-F	文件：448.27 Kbytes Page：33 Pages	Differential clock inputs	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
EDJ1116DJBG-GN-F	文件：448.27 Kbytes Page：33 Pages	1G bits DDR3 SDRAM	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
1116	文件：1.8415 Mbytes Page：16 Pages	DrywallPunch	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
1116	文件：99.12 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component13X1COND a)Conductor30(7/38)AWGTinnedCopper0.012 b)Insulation0.010Wall,Nom.PVC0.032 (1)ColorCodeAlphaWireColorCodeD CondColorCondColorCondColor 1BLACK2RED3WHITE 2)CableAssembly3ComponentsCabled a)Twists:40.0	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
1116	文件：97.93 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component13X1COND a)Conductor30(7/38)AWGTinnedCopper0.012 b)Insulation0.010Wall,Nom.PVC0.032 (1)ColorCodeAlphaWireColorCodeD CondColorCondColorCondColor 1BLACK2RED3WHITE 2)CableAssembly3ComponentsCabled a)Twists:40.0	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
1116A	文件：239.99 Kbytes Page：8 Pages	SILICONTRANSISTORS PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDMID-SPEEDSWITCHING FEATURES •LowVCE(sat) VCE(sat)=−0.20VTYP.(IC=−1.0A,IB=−50mA) •HighPTinsmalldimensionwithgeneral-purpose PT=0.75W,VCEO=−50/−60V,IC(DC)=−1.0A •Complementarytransistor	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
1116A	文件：162.51 Kbytes Page：2 Pages	TypeKXThermocouple,1Pr#16Sol,FEPInsYel,Red,OS,YellowFEPJkt,300VPLTCCL2P200CSUNRES ProductDescription TypeKXThermocouple,1Pair16AWG(Solid)Chromel+Alumel,FEPInsulationYel,RedColorCode,OverallBeldfoil®Shield,YellowFEPOuterJacket, PLTCCL2P200CSUNRES	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
A1116	文件：291.63 Kbytes Page：9 Pages	BIPOLARLDOREGULATOR800mALINEARLOWDROPOUTREGULATOR	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
A1116RW	文件：171.29 Kbytes Page：2 Pages	Miniature,10WDIPSingle&DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
ADPA1116	文件：963.47 Kbytes Page：17 Pages	0.3GHzto6GHz,39.5dBm,GaNPowerAmplifier FEATURES ►Internallymatched,0.3GHzto6GHz,39.5dBm,GaNpower amplifier ►RFinputandRFoutputAC-coupled ►Integrateddrainbiasinductors ►Outputpower:39.5dBmtypicalfrom0.5GHzto5GHz (PIN=16.0dBm) ►Powergain:23.5dBtypicalfrom0.5GHzto5GHz (PIN=16.0dBm)	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ALD1116	文件：82.82 Kbytes Page：9 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancement modematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroad rangeofprecisionanalogapplications.TheALD1106/ALD1116offer highinputimpedanceandnegativecurrenttemperaturecoefficient.The transistor	ADLAdvanced Digital Logic, Inc. Advanced Digital Logic, Inc.	ADL
ALD1116	文件：106.16 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancement modematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrange ofprecisionanalogapplications.TheALD1106/ALD1116offerhighinput impedanceandnegativecurrenttemperaturecoefficient.Thetransistor	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司	ALD
ALD1116	文件：58.83 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELANDDUALP-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFET	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司	ALD
ALD1116	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES •Lowthresholdvoltageof0.7V •Lowinputcapacitance •LowVos2mVtypical •Highinputimpeda	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司	ALD
ALD1116DA	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES •Lowthresholdvoltageof0.7V •Lowinputcapacitance •LowVos2mVtypical •Highinputimpeda	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司	ALD
ALD1116DA	文件：124.27 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司	ALD
ALD1116PA	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES •Lowthresholdvoltageof0.7V •Lowinputcapacitance •LowVos2mVtypical •Highinputimpeda	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司	ALD
ALD1116PAL	文件：124.27 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司	ALD
ALD1116SA	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES •Lowthresholdvoltageof0.7V •Lowinputcapacitance •LowVos2mVtypical •Highinputimpeda	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司	ALD
ALD1116SAL	文件：124.27 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司	ALD

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详细参数

型号：
EDJ1116DJBG-GN-F
制造商：
ELPIDA
制造商全称：
Elpida Memory
功能描述：
1G bits DDR3 SDRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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