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8433	文件：291.55 Kbytes Page：18 Pages	AXLEPBDI8DO42AM126M	PhoenixPhoenix Contact 菲尼克斯电气德国菲尼克斯电气集团
CEM8433	文件：502.57 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-20V,-5.2A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=95mΩ@VGS=-2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfaceMountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CHM8433JPT	文件：186.06 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT5Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitching	CHENMKOCHENMKO CHENMKO
ECWH8433MV	文件：98.97 Kbytes Page：7 Pages	MetallizedPolypropyleneFilmCapacitor	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
FDS8433	文件：196.01 Kbytes Page：8 Pages	SingleP-Channel2.5VSpecifiedMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsisproducedusingFairchild’sproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance. Featu	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS8433A	文件：196.01 Kbytes Page：8 Pages	SingleP-Channel2.5VSpecifiedMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsisproducedusingFairchild’sproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance. Featu	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS8433A	文件：84.29 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-Channel2.5VSpecifiedMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
NDS8433	文件：332.05 Kbytes Page：10 Pages	SingleP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.Thes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
PE8433	文件：321.03 Kbytes Page：2 Pages	50OhmSMACirculatorOperatingFrom6GHzto18GHzAnd10WattsWith14dBIsolation	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克
PN8433	文件：270.52 Kbytes Page：2 Pages	MSDDistributorCap	MALLORY Mallory Sonalert Products Inc.
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ST8433	文件：243.97 Kbytes Page：6 Pages	ConstantVoltageandConstantCurrentController	STANSONStanson Technology Stanson 科技
ST8433AS	文件：243.97 Kbytes Page：6 Pages	ConstantVoltageandConstantCurrentController	STANSONStanson Technology Stanson 科技
ST8433ASRG	文件：243.97 Kbytes Page：6 Pages	ConstantVoltageandConstantCurrentController	STANSONStanson Technology Stanson 科技
ST8433ATRG	文件：243.97 Kbytes Page：6 Pages	ConstantVoltageandConstantCurrentController	STANSONStanson Technology Stanson 科技
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ST8433BTRG	文件：243.97 Kbytes Page：6 Pages	ConstantVoltageandConstantCurrentController	STANSONStanson Technology Stanson 科技
TAA8433	文件：250.67 Kbytes Page：4 Pages	PigtailedPDforanalogapplication	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
TAP8433	文件：250.67 Kbytes Page：4 Pages	PigtailedPDforanalogapplication	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商

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详细参数

型号：
ECW-H8433JV
功能描述：
薄膜电容器 0.043uF 800VDC 5%
RoHS：
否
制造商：
Cornell Dubilier
电介质：
Polyester
电容：
0.047 uF
容差：
10 %
电压额定值：
100 V
系列：
225P
工作温度范围：
- 55 C to + 85 C
端接类型：
Radial
引线间隔：
9.5 mm

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更多ECW-H8433JV供应商更新时间2024-4-27 16:16:00

详细参数

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