选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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alterATQFP-32 |
525 |
23+ |
深圳市博浩通科技有限公司现货供应EPC2TC32N,价格优势、原装正品、热销产品特价中。。。有需求欢迎联系,财富热线:0755-82818091,,82811430您的满意是我们的追求。欢迎广大客户来电O(∩_∩)O~ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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alterABGA |
4568 |
23+ |
原装现货特价热销 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
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ALTERAQFP-32 |
2200 |
21+ |
ALTERAXILINX专业代理!全新原装现货大量库存 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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INTELSOP |
31841 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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INTELNA |
40371 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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BGA |
2883 |
1907+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
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ALTERA/阿尔特拉QFP32 |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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深圳市虞达美电子有限公司1年
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6000 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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ALTERAQFP |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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ALTERA/阿尔特拉ALTERA |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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ALTERA/阿尔特拉TQFP32 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
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EPC原厂封装 |
897000 |
23+ |
进口原装现货189306899087 微信同 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
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ALTERA/阿尔特拉QFP32 |
20000 |
23+ |
原厂原装,正品现货,假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ALTERAQFP32 |
90000 |
2020+ |
原装现货/假一罚十/可开增票 |
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深圳兆威电子有限公司7年
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ALTERAPLCC |
25 |
23+ |
只做原装全系列供应价格优势 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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ALTERA/阿尔特拉ALTERA |
34000 |
21+ |
原装现货,一站式配套 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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ALTERAICCONFIGDEVICE1.6MBIT32 |
869 |
23+ |
ALTERA代理,现货热卖,能提供更多数量 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
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ALTERA原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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ALTERATQFP |
8224 |
17+ |
ALTERA一级代理全新原装现货 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
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4928 |
2307+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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EPC2016价格
EPC2016价格:¥10.2735品牌:EPC
生产厂家品牌为EPC的EPC2016多少钱,想知道EPC2016价格是多少?参考价:¥10.2735。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,EPC2016批发价格及采购报价,EPC2016销售排行榜及行情走势,EPC2016报价。
EPC2TI32N资讯
EPC2065 80 V、221 A eGaN? FET
EPC的80VeGaNFET非常适合更小、更轻、更平滑的电机驱动设计
EPC2LC20NEP2C8Q208C8NEP4CGX150CF23I7NEPM2210F256C5NEP4CGX75CF23I7NEP2C8Q208I8NEP3C40F484C8NEP2C35F672C8NEP2C20F484C8NEP1C20F400I7NEP4CGX15BF14C8NEPM7128STC100-10NEP1K30TC144-3NEPM570F256C5NEP3C40F324I7NEP1K30QC208-3N原装正品,现货库存,欢迎询价
北京天阳诚业科贸有限公司是一家具有丰富的电子元器件分销经验的全球分销商。我们坚持只做原装正品,在全世界内分销、收购过剩库存,公司备有大量现货,同时我们代购国外代理商的库存。可以为客户长期备货和跟原厂定期货。TE,Tyco,AMP,MOLEX,,DELPHI,APTIV,JAE,YAZAKI,,JST,KET,Souriau,L-com,Schaff
EPC2106新品推荐EPC9055
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EPC2LI20N 深圳市铭泽达科技有限公司现货供应
EPC2LI20N公司现货,有需要的及时联系,保证原装正品
EPC2TI32N 全新原装进口 ! 假一罚十!
深圳市亿智腾科技有限公司原装进口,真诚服务,信誉第一!电话:0755-82791230手机:15989484793QQ:799387964联系人:肖先生是一家专业电子元器件分销机构(专营MARVELL全系列TI德州NXP赛灵思ALTERANSADFSCONST全系例)主要代理分销世界各国品牌IC如:MARVELLTI/BBNATIONALFSC等。在电子元器件
EPC2TI32N中文资料Alldatasheet PDF
更多EPC2制造商:ALTERA 制造商全称:Altera Corporation 功能描述:SRAM-Based LUT Devices
EPC2001功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
EPC2007功能描述:TRANS 100V 30MO BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
EPC2010功能描述:TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
EPC2010ENGR制造商:Efficient Power Conversion 功能描述:TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
EPC2012功能描述:TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
EPC2014功能描述:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
EPC2015功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
EPC2016制造商:Efficient Power Conversion 功能描述:TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
EPC2018制造商:Efficient Power Conversion 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE