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DXT2011P5-13	文件：209.74 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR PowerDI짰5 Features •BVCEO>100V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=10APeakCollectorCurrent •PDupto3.2W •43smallerthanSOT223;60smallerthanTO252 •Maximumheightjust1.1mm •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DXT2011P5-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：PowerDI™ 5 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 6A POWERDI5	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM

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DXT2011P5-13

文件：209.74 Kbytes

Page：7 Pages

100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR PowerDI짰5

Features •BVCEO>100V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=10APeakCollectorCurrent •PDupto3.2W •43smallerthanSOT223;60smallerthanTO252 •Maximumheightjust1.1mm •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

DXT2011P5-13

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：PowerDI™ 5 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 6A POWERDI5

PAMDiodes Incorporated

龙鼎威

PAM

产品属性

产品编号：
DXT2011P5-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 500mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2A，2V
频率 - 跃迁：
130MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
PowerDI™ 5
供应商器件封装：
PowerDI™ 5
描述：
TRANS NPN 100V 6A POWERDI5

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