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DTC363TK分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

DTC363TK
厂商型号

DTC363TK

参数属性

DTC363TK 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

功能描述

Digital transistors (built-in resistor)
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

文件大小

60.34 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Rohm Semiconductor
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-30 17:52:00

DTC363TK规格书详情

Features

In addition to the features of regular digital transistors,

1) Low VCE(sat) makes these transistors optimal for muting circuits. VCE(sat) = 40mV (Typ.) (IC/IB = 50mA/2.5mA)

2) They can be used at high current (IC = 600mA).

DTC363TK属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。罗姆半导体集团制造生产的DTC363TK晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

  • 产品编号:

    DTC363TKT146

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    80mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SMT3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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