DTC363TK分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料
厂商型号 |
DTC363TK |
参数属性 | DTC363TK 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 |
功能描述 | Digital transistors (built-in resistor) |
文件大小 |
60.34 Kbytes |
页面数量 |
3 页 |
生产厂商 | Rohm Semiconductor |
企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-30 17:52:00 |
DTC363TK规格书详情
Features
In addition to the features of regular digital transistors,
1) Low VCE(sat) makes these transistors optimal for muting circuits. VCE(sat) = 40mV (Typ.) (IC/IB = 50mA/2.5mA)
2) They can be used at high current (IC = 600mA).
DTC363TK属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。罗姆半导体集团制造生产的DTC363TK晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。
产品属性
- 产品编号:
DTC363TKT146
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
剪切带(CT)
- 晶体管类型:
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 50mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
80mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SMT3
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
SOT23 |
68900 |
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询价 | |||
23+ |
原装原封 |
8888 |
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ROHM/罗姆 |
21+ROHS |
10000 |
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询价 | |||
ROHM/罗姆 |
2002 |
6000 |
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ROHM |
04+ |
SOT23/ |
2600 |
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ROHM |
22+23+ |
Sot-23 |
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MSV/萌盛微 |
23+ |
NA/ |
6250 |
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ROHM |
2008++ |
SOT-23 |
9000 |
新进库存/原装 |
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ROHM |
23+ |
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ROHM |
2020+ |
SOT23 |
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